Recherche
Résultats 1-10 de 409
-
Synthèse optique d'ondes hyperfréquences et millimétriques à très bas bruit de phase : résultats préliminaires
Optique 2015, Rennes, 06-07-2015Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)texte intégral -
Synthèse optique d'ondes hyperfréquences et millimétriques à très bas bruit de phase : résultats préliminaires
Optique Bretagne 2015, RENNES, 06-07-2015, 07-2015Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)texte intégral -
Picosecond Carrier Lifetime in Low-Temperature-Grown GaAsSb
Applied Physics Express, 2010, 3, 111202Article dans une revue scientifique -
Terahertz pulsed-field magneto-spectrometer at room-temperature
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Paris, 01-09-2019, IEEECommunication dans un congrès avec actestexte intégral -
Stability of signals generated with a dual-frequency laser and a UTC photodiode up to 700 GHz
37th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2012, Wollongong, 23-09-2012, Proceedings of the 37th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2012, 2012Communication dans un congrès avec actes -
Milliwatt level output power generated by photomixing in a GaAs photoconductor
37th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2012, Wollongong, 23-09-2012, Proceedings of the 37th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2012, 2012Communication dans un congrès avec actes -
RF injection-locking of terahertz quantum cascade lasers
Electronics Letters, IET, 2010, 46, S60-S64Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Generation of low phase noise signals up to 1 THz with a dual frequency laser and a UTC photodiode
3rd EOS Topical Meeting on Terahertz Science & Technology, TST 2012, Prague, 2012 -
Low-temperature-grown GaAs photoconductor with high dynamic responsivity in the millimeter wave range
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, Japan Society of Applied Physics, 2011, 4, 104101-1-3Compte-rendu et recension critique d'ouvrage -
Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 80, 4151Compte-rendu et recension critique d'ouvrage