Charge carrier identification in tunneling ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Charge carrier identification in tunneling spectroscopy of core-shell nanocrystals
Auteur(s) :
Nguyen, T.H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Habinshuti, Justin [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Justo, Y. [Auteur]
Gomes, R. [Auteur]
Mahieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carrillo, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hens, Z. [Auteur]
Robbe, O. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Turrell, S. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Habinshuti, Justin [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Justo, Y. [Auteur]
Gomes, R. [Auteur]
Mahieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carrillo, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hens, Z. [Auteur]
Robbe, O. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Turrell, S. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pagination :
195133-1 - 195133-8
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2011-11-15
ISSN :
1098-0121
Discipline(s) HAL :
Chimie/Chimie théorique et/ou physique
Résumé en anglais : [en]
Semiconductor PbSe/CdSe core-shell nanocrystals (NCs) in a double barrier tunnel junction have been investigated by means of scanning tunneling spectroscopy at low temperature. From the analysis of the differential conductance ...
Lire la suite >Semiconductor PbSe/CdSe core-shell nanocrystals (NCs) in a double barrier tunnel junction have been investigated by means of scanning tunneling spectroscopy at low temperature. From the analysis of the differential conductance peak position as a function of the potential distribution in both potential barriers, we demonstrate a unipolar transport regime for a large amount of NCs. The same charge carriers are injected on both sides of the zero-conductance gap, and the peaks observed at higher energy arise from the charging of the NCs. Similar results are obtained for CdSe/CdS dot-in-rod NCs, indicating that the addition of a shell favors transitions between different charge states rather than single particle excited states. Further characterization of the PbSe/CdSe core-shell NCs by x-ray photoemission spectroscopy reveals that the variations in the transport properties from NC to NC are explained by the occurrence of unprotected PbSe facets that have different orientations in the junction.Lire moins >
Lire la suite >Semiconductor PbSe/CdSe core-shell nanocrystals (NCs) in a double barrier tunnel junction have been investigated by means of scanning tunneling spectroscopy at low temperature. From the analysis of the differential conductance peak position as a function of the potential distribution in both potential barriers, we demonstrate a unipolar transport regime for a large amount of NCs. The same charge carriers are injected on both sides of the zero-conductance gap, and the peaks observed at higher energy arise from the charging of the NCs. Similar results are obtained for CdSe/CdS dot-in-rod NCs, indicating that the addition of a shell favors transitions between different charge states rather than single particle excited states. Further characterization of the PbSe/CdSe core-shell NCs by x-ray photoemission spectroscopy reveals that the variations in the transport properties from NC to NC are explained by the occurrence of unprotected PbSe facets that have different orientations in the junction.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet Européen :
Source :
Fichiers
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