Titre :

Deep Trench Isolation and Through Silicon Via Wetting Characterization by High-Frequency Acoustic Reflectometry

Auteur(s) :

Virgilio, Christophe [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Broussous, Lucile [Auteur]
Garnier, Philippe [Auteur]
Carlier, Julien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Campistron, Pierre [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thomy, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bio-Micro-Electro-Mechanical Systems - IEMN [BIOMEMS - IEMN]
Toubal, Malika [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Besson, Pascal [Auteur]
Gabette, Laurence [Auteur]
Nongaillard, Bertrand [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

13th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS)

Ville :

Knokke

Pays :

Belgique

Date de début de la manifestation scientifique :

2016-09-12

Éditeur :

TRANS TECH PUBLICATIONS LTD

Date de publication :

2016

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Deep Trench Isolation
Through Silicon Via
wetting kinetics
high aspect ratio
acoustic reflectometry

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Physique [physics]

Résumé en anglais : [en]

Wetting efficiency of microstructures or nanostructures patterned on Si wafers is a real concern in integrated circuits manufacturing. We present here a high-frequency acoustic method which enables the local determination ...
Lire la suite >Wetting efficiency of microstructures or nanostructures patterned on Si wafers is a real concern in integrated circuits manufacturing. We present here a high-frequency acoustic method which enables the local determination of the wetting state of a liquid on real DTI and TSV structures. Partial wetting states for non-hydrophobic surfaces or low surface tension liquids are detectable with this method. Filling time of TSV structures has also been measured.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL