Deep Trench Isolation and Through Silicon ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Deep Trench Isolation and Through Silicon Via Wetting Characterization by High-Frequency Acoustic Reflectometry
Author(s) :
Virgilio, Christophe [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Broussous, Lucile [Auteur]
Garnier, Philippe [Auteur]
Carlier, Julien [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Campistron, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Thomy, Vincent [Auteur]
Bio-Micro-Electro-Mechanical Systems - IEMN [BIOMEMS - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Toubal, Malika [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Besson, Pascal [Auteur]
Gabette, Laurence [Auteur]
Nongaillard, Bertrand [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Broussous, Lucile [Auteur]
Garnier, Philippe [Auteur]
Carlier, Julien [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Campistron, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Thomy, Vincent [Auteur]
Bio-Micro-Electro-Mechanical Systems - IEMN [BIOMEMS - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Toubal, Malika [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Besson, Pascal [Auteur]
Gabette, Laurence [Auteur]
Nongaillard, Bertrand [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
13th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS)
City :
Knokke
Country :
Belgique
Start date of the conference :
2016-09-12
Publisher :
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
Publication date :
2016
English keyword(s) :
Deep Trench Isolation
Through Silicon Via
wetting kinetics
high aspect ratio
acoustic reflectometry
Through Silicon Via
wetting kinetics
high aspect ratio
acoustic reflectometry
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Physique [physics]
Physique [physics]
English abstract : [en]
Wetting efficiency of microstructures or nanostructures patterned on Si wafers is a real concern in integrated circuits manufacturing. We present here a high-frequency acoustic method which enables the local determination ...
Show more >Wetting efficiency of microstructures or nanostructures patterned on Si wafers is a real concern in integrated circuits manufacturing. We present here a high-frequency acoustic method which enables the local determination of the wetting state of a liquid on real DTI and TSV structures. Partial wetting states for non-hydrophobic surfaces or low surface tension liquids are detectable with this method. Filling time of TSV structures has also been measured.Show less >
Show more >Wetting efficiency of microstructures or nanostructures patterned on Si wafers is a real concern in integrated circuits manufacturing. We present here a high-frequency acoustic method which enables the local determination of the wetting state of a liquid on real DTI and TSV structures. Partial wetting states for non-hydrophobic surfaces or low surface tension liquids are detectable with this method. Filling time of TSV structures has also been measured.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :