A method to determine wide bandgap power ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SaPIW.2019.8781641
Titre :
A method to determine wide bandgap power devices packaging interconnections
Auteur(s) :
Pace, Loris [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Videt, Arnaud [Auteur] refId
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Idir, Nadir [Auteur]
Laboratoire d’Électrotechnique et d’Électronique de Puissance - ULR 2697 [L2EP]
Titre de la manifestation scientifique :
23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI)
Ville :
Chambery
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2019-06-18
Titre de l’ouvrage :
23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI)
Titre de la revue :
Proceedings of 23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity, SPI 2019
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2019
Mot(s)-clé(s) en anglais :
S-parameters
Packaging interconnections
access parasitics
GaN transistor
SiC diode
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Wide Bandgap (WBG) power devices show very good characteristics for high frequency operation in power converters, leading to a better power integration by reducing size and weight of passive components. Access parasitics ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL