Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
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Title :
Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer
Author(s) :
Boudart, B. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Yannick [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Abou Daher, Mahmoud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, N. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications [LAAS-MOST]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Yannick [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Abou Daher, Mahmoud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]

Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, N. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications [LAAS-MOST]
Publisher :
Wiley
Publication date :
2021-09
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific ...
Show more >In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific transfer technology uses sputtered AlN as bonding layer. An improvement in maximum DC current density of 14% is observed after transfer on the diamond substrate, with attractive RF performances as well. Lag effects are evaluated thanks to pulsed measurement. Thermal analysis is also proposed to quantify the effects of bonding on self-heating. Both electrical and thermal characterizations are used as markers to evaluate the impact of the transfer process on the developed HEMT.Show less >
Show more >In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific transfer technology uses sputtered AlN as bonding layer. An improvement in maximum DC current density of 14% is observed after transfer on the diamond substrate, with attractive RF performances as well. Lag effects are evaluated thanks to pulsed measurement. Thermal analysis is also proposed to quantify the effects of bonding on self-heating. Both electrical and thermal characterizations are used as markers to evaluate the impact of the transfer process on the developed HEMT.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :
Submission date :
2021-07-27T07:00:17Z