Impact of the bending on the electroluminescence ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes
Auteur(s) :
Jimenez, Gema Tabares [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Ebongue, Abel [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Ebongue, Abel [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Titre de la revue :
IEEE Photonics Technology Letters
Pagination :
1661-1664
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2016-08-01
ISSN :
1041-1135
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Flexi-light emitting diodes
flexible substrate
nitrides
flexible substrate
nitrides
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent ...
Lire la suite >The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent (EL) spectra and current density-voltage (J-V) characteristics of flexi-LEDs are studied under different convex bending configurations (from a curvature radius of infinity to 1.4 cm), showing only one peak around 442 nm in all the cases. Both the EL spectra and J-V characteristics are affected by the applied tensile stress when the flexi-LED is bent. In fact, an increase of the applied tensile strain from 0.02% to 0.09% results in a red-shift of the EL peak energy by 3 meV at 0.7 mA, and a drop of the current at high forward bias. In addition, such flexi-LEDs exhibit a reversible response when a significant mechanical deformation is applied.Lire moins >
Lire la suite >The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent (EL) spectra and current density-voltage (J-V) characteristics of flexi-LEDs are studied under different convex bending configurations (from a curvature radius of infinity to 1.4 cm), showing only one peak around 442 nm in all the cases. Both the EL spectra and J-V characteristics are affected by the applied tensile stress when the flexi-LED is bent. In fact, an increase of the applied tensile strain from 0.02% to 0.09% results in a red-shift of the EL peak energy by 3 meV at 0.7 mA, and a drop of the current at high forward bias. In addition, such flexi-LEDs exhibit a reversible response when a significant mechanical deformation is applied.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :