Impact of the bending on the electroluminescence ...
Document type :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
Title :
Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes
Author(s) :
Jimenez, Gema Tabares [Auteur]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Ebongue, Abel [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]

Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Ebongue, Abel [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]

Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Journal title :
IEEE Photonics Technology Letters
Pages :
1661-1664
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2016-08-01
ISSN :
1041-1135
English keyword(s) :
Flexi-light emitting diodes
flexible substrate
nitrides
flexible substrate
nitrides
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent ...
Show more >The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent (EL) spectra and current density-voltage (J-V) characteristics of flexi-LEDs are studied under different convex bending configurations (from a curvature radius of infinity to 1.4 cm), showing only one peak around 442 nm in all the cases. Both the EL spectra and J-V characteristics are affected by the applied tensile stress when the flexi-LED is bent. In fact, an increase of the applied tensile strain from 0.02% to 0.09% results in a red-shift of the EL peak energy by 3 meV at 0.7 mA, and a drop of the current at high forward bias. In addition, such flexi-LEDs exhibit a reversible response when a significant mechanical deformation is applied.Show less >
Show more >The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent (EL) spectra and current density-voltage (J-V) characteristics of flexi-LEDs are studied under different convex bending configurations (from a curvature radius of infinity to 1.4 cm), showing only one peak around 442 nm in all the cases. Both the EL spectra and J-V characteristics are affected by the applied tensile stress when the flexi-LED is bent. In fact, an increase of the applied tensile strain from 0.02% to 0.09% results in a red-shift of the EL peak energy by 3 meV at 0.7 mA, and a drop of the current at high forward bias. In addition, such flexi-LEDs exhibit a reversible response when a significant mechanical deformation is applied.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :