Title :

Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes

Author(s) :

Jimenez, Gema Tabares [Auteur]
Mhedhbi, Sarra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Ebongue, Abel [Auteur]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, N. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Journal title :

IEEE Photonics Technology Letters

Pages :

1661-1664

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2016-08-01

ISSN :

1041-1135

English keyword(s) :

Flexi-light emitting diodes
flexible substrate
nitrides

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent ...
Show more >The role that the mother substrate plays to influence the performance of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) onto the adhesive flexible tapes is addressed in this letter. For this purpose, the electroluminescent (EL) spectra and current density-voltage (J-V) characteristics of flexi-LEDs are studied under different convex bending configurations (from a curvature radius of infinity to 1.4 cm), showing only one peak around 442 nm in all the cases. Both the EL spectra and J-V characteristics are affected by the applied tensile stress when the flexi-LED is bent. In fact, an increase of the applied tensile strain from 0.02% to 0.09% results in a red-shift of the EL peak energy by 3 meV at 0.7 mA, and a drop of the current at high forward bias. In addition, such flexi-LEDs exhibit a reversible response when a significant mechanical deformation is applied.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Composants sur supports FLEXIbles de la filière GaN
Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL