Title :

Pushing the limit of lithography for patterning two-dimensional lattices in III-V semiconductor quantum wells

Author(s) :

Franchina Vergel, Nathali Alexandra [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Post, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vaurette, Francois [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lambert, Yannick [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fleury, G. [Auteur]
Kulmala, T.S. [Auteur]
Xu, T. [Auteur]
Desplanque, L. [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, X. [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vanmaekelbergh, D. [Auteur]
Delerue, Christophe [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, B. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference, EDTM 2021

City :

Chengdu

Country :

Chine

Start date of the conference :

2021-04-08

Journal title :

Proceedings of the 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference, EDTM 2021

Publisher :

IEEE

Publication date :

2021-04

English keyword(s) :

Lithography
III-V semiconductors
two-dimensional lattices
honeycomb
Lattices
Scattering
InGaAs
Nanoperforation
In0.53Ga0.47As
Quantum wells

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

Building two-dimensional lattices in semiconductor quantum-wells offers the prospect to design distinct energy-momentum dispersions, including conical intersections and nondispersive bands. Here, we compare three lithographic ...
Show more >Building two-dimensional lattices in semiconductor quantum-wells offers the prospect to design distinct energy-momentum dispersions, including conical intersections and nondispersive bands. Here, we compare three lithographic patterning methods, e-beam lithography, block copolymer lithography and thermal scanning probe lithography to produce a honeycomb lattice in an In_0.53Ga_0.47As quantum well. We weigh up the pros and cons of each method to reach lattice constants smaller than 20 nm with a minimum of dispersion in the pore size.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Super-réseau d'antipoints de Dirac pour les électrons dans les semiconducteurs III-V

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL