Title :

Mm-wave through-load element for on-wafer measurement applications

Author(s) :

Margalef-Rovira, Marc [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Occello, Olivier [Auteur]
Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits [RFIC-Lab ]
Saadi, Abdelhalim [Auteur]
NXP Semiconductors [France]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Vincent, Loïc [Auteur]
Centre Interuniversitaire de Micro-Electronique [CIME]
Barragan, Manuel J. [Auteur]
Reliable RF and Mixed-signal Systems [TIMA-RMS]
Pistono, Emmanuel [Auteur]
Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits [RFIC-Lab ]
Bourdel, Sylvain [Auteur]
Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits [RFIC-Lab ]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Ferrari, Philippe [Auteur]
Laboratoire de Radio-Fréquence et d'Intégration de Circuits [RFIC-Lab ]

Journal title :

IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers

Pages :

3170-3183

Publisher :

IEEE

Publication date :

2021

ISSN :

1549-8328

English keyword(s) :

Through-load
on-wafer
3-dB coupler
slow-wave
BiCMOS
attenuator
transfer-switch millimeter-wave

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

English abstract : [en]

This paper presents an innovative Through-Load element aimed at characterization applications at mm-wave frequencies. The proposed structure can behave as a Through connection or as a 50-Ω load depending on a DC control ...
Show more >This paper presents an innovative Through-Load element aimed at characterization applications at mm-wave frequencies. The proposed structure can behave as a Through connection or as a 50-Ω load depending on a DC control voltage. Among other potential applications, this system can be used to implement a transfer switch or an attenuator. A demonstrator was fabricated and measured in the STM 55-nm BiCMOS technology. Over a wide bandwidth, from 55 GHz up to 170 GHz, experimental measurements demonstrate a maximum 1.6-dB of insertion loss when behaving as a Through connection and a minimum 14-dB of insertion loss when behaving as a 50-Ω load. In both cases, the return loss is better than 10 dB. The insertion loss at 90 GHz is 0.6 dB for the Through connection and 20 dB for the 50-Ω load connection.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

European Project :

TowARds Advanced bicmos NanoTechnology platforms for rf and thz applicatiOns

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL