Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide Photoconductors with Photoresponse Reaching 25 mA/W under 1550nm Cw Excitation
Author(s) :
Tannoury, Charbel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, Maximilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, Maximilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur]

Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
City :
Buffalo, NY, USA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2020-11-08
Book title :
2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Publisher :
IEEE
Publication date :
2020
English keyword(s) :
Annealing
Photoconducting materials
Gallium arsenide
Lighting
Photoconducting materials
Gallium arsenide
Lighting
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We show in this communication that photoconductors based on GaAs grown at low temperature can exhibit photoresponses as high as 25 mA/W under continuous-wave 1550-nm-wavelength illumination. It is achieved by using an ...
Show more >We show in this communication that photoconductors based on GaAs grown at low temperature can exhibit photoresponses as high as 25 mA/W under continuous-wave 1550-nm-wavelength illumination. It is achieved by using an optical Fabry-Pérot cavity in order to improve the external quantum efficiency and by decreasing the post growth annealing temperature down-to 450 °C.Show less >
Show more >We show in this communication that photoconductors based on GaAs grown at low temperature can exhibit photoresponses as high as 25 mA/W under continuous-wave 1550-nm-wavelength illumination. It is achieved by using an optical Fabry-Pérot cavity in order to improve the external quantum efficiency and by decreasing the post growth annealing temperature down-to 450 °C.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :