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Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide ...
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Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/IRMMW-THz46771.2020.9370757
Titre :
Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide Photoconductors with Photoresponse Reaching 25 mA/W under 1550nm Cw Excitation
Auteur(s) :
Tannoury, Charbel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Billet, Maximilien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Ville :
Buffalo, NY, USA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2020-11-08
Titre de l’ouvrage :
2020 45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2020
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Annealing
Photoconducting materials
Gallium arsenide
Lighting
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We show in this communication that photoconductors based on GaAs grown at low temperature can exhibit photoresponses as high as 25 mA/W under continuous-wave 1550-nm-wavelength illumination. It is achieved by using an ...
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We show in this communication that photoconductors based on GaAs grown at low temperature can exhibit photoresponses as high as 25 mA/W under continuous-wave 1550-nm-wavelength illumination. It is achieved by using an optical Fabry-Pérot cavity in order to improve the external quantum efficiency and by decreasing the post growth annealing temperature down-to 450 °C.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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