2 W / mm power density of an AlGaN/GaN ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
2 W / mm power density of an AlGaN/GaN HEMT grown on free-standing GaN substrate at 40 GHz
Auteur(s) :
Irekti, Mohamed-Reda [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Frayssinet, Eric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
Université Toulouse III - Paul Sabatier [UT3]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Frayssinet, Eric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
Université Toulouse III - Paul Sabatier [UT3]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Titre de la revue :
Semiconductor Science and Technology
Pagination :
12LT01
Éditeur :
IOP Publishing
Date de publication :
2019-12-01
ISSN :
0268-1242
Mot(s)-clé(s) en anglais :
free-standing GaN
hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
millimeter-wave power density
hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
millimeter-wave power density
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
In this letter, a record performance at 40 GHz obtained on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) grown on Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Free-Standing GaN substrate is reported. An output power density of ...
Lire la suite >In this letter, a record performance at 40 GHz obtained on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) grown on Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Free-Standing GaN substrate is reported. An output power density of 2 W.mm-1 associated with 20.5 % power added efficiency and a linear power gain (Gp) of 4.2 dB is demonstrated for 70 nm gate length device. The device exhibits a maximum DC drain current density of 950 mA.mm-1 and a peak extrinsic transconductance (gm Max) of 300 mS.mm-1 at VDS = 6 V. A 100 GHz maximum intrinsic cutoff frequency fT, and a maximum intrinsic oscillation frequency f Max of 125 GHz are obtained from Sparameters measurement. This performance is very promising for HEMTs grown on Free-Standing GaN substrate.Lire moins >
Lire la suite >In this letter, a record performance at 40 GHz obtained on AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) grown on Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Free-Standing GaN substrate is reported. An output power density of 2 W.mm-1 associated with 20.5 % power added efficiency and a linear power gain (Gp) of 4.2 dB is demonstrated for 70 nm gate length device. The device exhibits a maximum DC drain current density of 950 mA.mm-1 and a peak extrinsic transconductance (gm Max) of 300 mS.mm-1 at VDS = 6 V. A 100 GHz maximum intrinsic cutoff frequency fT, and a maximum intrinsic oscillation frequency f Max of 125 GHz are obtained from Sparameters measurement. This performance is very promising for HEMTs grown on Free-Standing GaN substrate.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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