Titre :

Characterization and Electrical Modeling Including Trapping Effects of AIN/GaN HEMT 4×50μm on Silicon Substrate

Auteur(s) :

Bouslama, Mohamed [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Al Hajjar, Ahmad [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Sommet, Raphaël [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Nallatamby, Jean-Christophe [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2018)

Ville :

Madrid

Pays :

Espagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2018-09-23

Titre de la revue :

EuMIC

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2018

Mot(s)-clé(s) en anglais :

characterization
modeling
GaN
traps

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

This paper reports the full characterization and modeling of novel AlN/GaN HEMTs on silicon using a short gate length. This device has been optimized for high frequency analog circuits applications. The presented model ...
Lire la suite >This paper reports the full characterization and modeling of novel AlN/GaN HEMTs on silicon using a short gate length. This device has been optimized for high frequency analog circuits applications. The presented model includes DC and small-signal modeling steps taking into account the trapping effects. It contains a trap model inside the current source which allows to accurately predict gate-lag transient response and low frequency dispersion of the output admittance. The model is validated by comparing the 4 GHz load-pull measurement results with the simulation ones.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Compréhension et optimisation des phénomènes de pièges dans le cadre du développement de la prochaine génération de composants de puissance à base de GaN fonctionnant au-delà de 30 GHz

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL