Title :

Low on-resistance and low trapping effects in 1200 V superlattice GaN-on-silicon heterostructures

Author(s) :

Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Abid, Idriss [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Püsche, Roland [Auteur]
Derluyn, Joff [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Tajalli, Alaleh [Auteur]
Meneghini, Matteo [Auteur]
Meneghesso, Gaudenzio [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

physica status solidi (a)
Special Issue: Nitride Semiconductors

Pages :

1900687

Publisher :

Wiley

Publication date :

2020-04

ISSN :

0031-8965

English keyword(s) :

GaN
Silicon
Superlattice
low on-resistance
low trapping effects

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

English abstract : [en]

Herein, the development of gallium nitride on silicon (GaN-on-Si) heterostructures targeting 1200 V power applications is reported. In particular, it is shown that the insertion of superlattices (SLs) into the buffer layers ...
Show more >Herein, the development of gallium nitride on silicon (GaN-on-Si) heterostructures targeting 1200 V power applications is reported. In particular, it is shown that the insertion of superlattices (SLs) into the buffer layers allows pushing the vertical breakdown voltage above 1200 V without generating additional trapping effects as compared with a more standard optimized step-graded AlGaN-based epistructure using a similar total buffer thickness. DC characterizations of fabricated transistors by means of back-gating measurements reflect both the enhancement of the breakdown voltage and the low trapping effects up to 1200 V. These results show that a proper buffer optimization and the insertion of SL pave the way to GaN-on-Si lateral power transistors operating at 1200 V with low on-resistance and low trapping effects.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Développement de composants innovants à base de GaN sur substrat de silicium pour la future génération de composants de puissance à haut rendement

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL