Titre :

InAlGaN/GaN HEMTs at Cryogenic Temperatures

Auteur(s) :

Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Linge, Astrid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ben-Ammar, Hichem [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Chauvat, Marie-Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Ruterana, Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Gamarra, Piero [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Lacam, Cédric [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Tordjman, Maurice [Auteur]
Thales Research and Technology [Palaiseau]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Electronics

Pagination :

31

Éditeur :

MDPI

Date de publication :

2016-12

ISSN :

2079-9292

Mot(s)-clé(s) en anglais :

InAlGaN HEMT
Cryogenic temperature
Microwave

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

We report on the electron transport properties of two-dimensional electron gas confined in a quaternary barrier InAlGaN/AlN/GaN heterostructure down to cryogenic temperatures for the first time. A state-of-the-art electron ...
Lire la suite >We report on the electron transport properties of two-dimensional electron gas confined in a quaternary barrier InAlGaN/AlN/GaN heterostructure down to cryogenic temperatures for the first time. A state-of-the-art electron mobility of 7340 cm2·V−1·s−1 combined with a sheet carrier density of 1.93 × 1013 cm−2 leading to a remarkably low sheet resistance of 44 Ω/□ are measured at 4 K. A strong improvement of Direct current (DC) and Radio frequency (RF) characteristics is observed at low temperatures. The excellent current and power gain cutoff frequencies (fT/fmax) of 65/180 GHz and 95/265 GHz at room temperature and 77 K, respectively, using a 0.12 μm technology confirmed the outstanding 2DEG properties.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Couches d'InAlN et hétérostructures optimisées pour la future génération de transistors hyperfréquences de puissance

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL