Titre :

High-frequency limits of graphene field-effect transistors with velocity saturation

Auteur(s) :

Wilmart, Quentin [Auteur]
Physique Mésoscopique
Boukhicha, Mohamed [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Graef, Holger [Auteur]
Physique Mésoscopique
Mele, David [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Palomo, José [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Rosticher, Michael [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Taniguchi, Takashi [Auteur]
National Institute for Materials Science [NIMS]
Watanabe, Kenji [Auteur]
National Institute for Materials Science [NIMS]
Bouchiat, Vincent [Auteur]
Interactions modulables dans des états quantiques 2D [NEEL - Quan2m]
Baudin, Emmanuel [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Nano-Optique
Berroir, Jean-Marc [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Physique Mésoscopique
Bocquillon, Erwann [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Physique Mésoscopique
Fève, Gwendal [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Physique Mésoscopique
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plaçais, Bernard [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Physique Mésoscopique

Titre de la revue :

Applied Sciences

Pagination :

446

Éditeur :

Multidisciplinary digital publishing institute (MDPI)

Date de publication :

2020-01

ISSN :

2076-3417

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Graphene transistor
velocity saturation
high-frequency
Dirac pinch-off
contact gating

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

The current understanding of physical principles governing electronic transport in graphene field effect transistors (GFETs) has reached a level where we can model quite accurately device operation and predict intrinsic ...
Lire la suite >The current understanding of physical principles governing electronic transport in graphene field effect transistors (GFETs) has reached a level where we can model quite accurately device operation and predict intrinsic frequency limits of performance. In this work, we use this knowledge to analyze DC and RF transport properties of bottom-gated graphene on boron nitride field effect transistors exhibiting pronounced velocity saturation by substrate hyperbolic phonon polariton scattering, including Dirac pinch-off effect. We predict and demonstrate a maximum oscillation frequency exceeding 20 GHz. We discuss the intrinsic 0.1 THz limit of GFETs and envision plasma resonance transistors as an alternative for sub-THz narrow-band detection.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Hétérostructures de graphènes blanc et noir

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL