High-frequency limits of graphene field-effect ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
High-frequency limits of graphene field-effect transistors with velocity saturation
Auteur(s) :
Wilmart, Quentin [Auteur]
Physique Mésoscopique
Boukhicha, Mohamed [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Graef, Holger [Auteur]
Physique Mésoscopique
Mele, David [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Palomo, José [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Rosticher, Michael [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Taniguchi, Takashi [Auteur]
National Institute for Materials Science [NIMS]
Watanabe, Kenji [Auteur]
National Institute for Materials Science [NIMS]
Bouchiat, Vincent [Auteur]
Interactions modulables dans des états quantiques 2D [NEEL - Quan2m]
Baudin, Emmanuel [Auteur]
Nano-Optique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Berroir, Jean-Marc [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Bocquillon, Erwann [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Fève, Gwendal [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Plaçais, Bernard [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Physique Mésoscopique
Boukhicha, Mohamed [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Graef, Holger [Auteur]
Physique Mésoscopique
Mele, David [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Palomo, José [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Rosticher, Michael [Auteur]
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Taniguchi, Takashi [Auteur]
National Institute for Materials Science [NIMS]
Watanabe, Kenji [Auteur]
National Institute for Materials Science [NIMS]
Bouchiat, Vincent [Auteur]
Interactions modulables dans des états quantiques 2D [NEEL - Quan2m]
Baudin, Emmanuel [Auteur]
Nano-Optique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Berroir, Jean-Marc [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Bocquillon, Erwann [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Fève, Gwendal [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Plaçais, Bernard [Auteur]
Physique Mésoscopique
Laboratoire de physique de l'ENS - ENS Paris [LPENS]
Titre de la revue :
Applied Sciences
Pagination :
446
Éditeur :
Multidisciplinary digital publishing institute (MDPI)
Date de publication :
2020-01
ISSN :
2076-3417
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Graphene transistor
velocity saturation
high-frequency
Dirac pinch-off
contact gating
velocity saturation
high-frequency
Dirac pinch-off
contact gating
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
The current understanding of physical principles governing electronic transport in graphene field effect transistors (GFETs) has reached a level where we can model quite accurately device operation and predict intrinsic ...
Lire la suite >The current understanding of physical principles governing electronic transport in graphene field effect transistors (GFETs) has reached a level where we can model quite accurately device operation and predict intrinsic frequency limits of performance. In this work, we use this knowledge to analyze DC and RF transport properties of bottom-gated graphene on boron nitride field effect transistors exhibiting pronounced velocity saturation by substrate hyperbolic phonon polariton scattering, including Dirac pinch-off effect. We predict and demonstrate a maximum oscillation frequency exceeding 20 GHz. We discuss the intrinsic 0.1 THz limit of GFETs and envision plasma resonance transistors as an alternative for sub-THz narrow-band detection.Lire moins >
Lire la suite >The current understanding of physical principles governing electronic transport in graphene field effect transistors (GFETs) has reached a level where we can model quite accurately device operation and predict intrinsic frequency limits of performance. In this work, we use this knowledge to analyze DC and RF transport properties of bottom-gated graphene on boron nitride field effect transistors exhibiting pronounced velocity saturation by substrate hyperbolic phonon polariton scattering, including Dirac pinch-off effect. We predict and demonstrate a maximum oscillation frequency exceeding 20 GHz. We discuss the intrinsic 0.1 THz limit of GFETs and envision plasma resonance transistors as an alternative for sub-THz narrow-band detection.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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