Titre :

‘High Linearity Performance of Gallium Nitride HEMT Devices on Silicon Substrate at 4 GHz’

Auteur(s) :

Vellas, N. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, M. [Auteur]
Aubry, R. [Auteur]
Bue, F. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2002

ISSN :

0741-3106

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL