Title :

Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates

Author(s) :

Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lahreche, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Gibart, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Journal title :

Electronics Letters

Pages :

1095 – 1096

Publisher :

IET

Publication date :

2001-08-16

ISSN :

0013-5194

English keyword(s) :

semiconductor device measurement
wide band gap semiconductors
current density
power MESFET
gallium compounds
MOCVD
III-V semiconductors
semiconductor device breakdown

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

For the first time, to the knowledge of the authors, GaN MESFETs on silicon substrate have been realised using low-pressure metal-organic vapour phase epitaxy. The devices demonstrate good pinch-off voltage and good breakdown ...
Show more >For the first time, to the knowledge of the authors, GaN MESFETs on silicon substrate have been realised using low-pressure metal-organic vapour phase epitaxy. The devices demonstrate good pinch-off voltage and good breakdown voltage characteristics. A maximum extrinsic transconductance of 30 mS/mm was achieved on a 100 * 0.5 µm2 device. At a drain-to-source voltage of 30 V, the drain current density reaches 100 mA/mm at Vgs = 0 V.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL