[Invited] Graphene for radio frequency electronics

Wei, Wei; Dalal, Fadil; Fregonese, Sebastien; Strupinski, Wlodek; Pallecchi, Emiliano; Happy, Henri

[Invited]

Type de document :

Communication dans un congrès avec actes

DOI :

10.1109/LAEDC49063.2020.9073546

Titre :

[Invited] Graphene for radio frequency electronics
[Invited]

Auteur(s) :

Wei, Wei [Auteur]
Laboratoire d'ingénierie pour les systèmes complexes [UR LISC]
Dalal, Fadil [Auteur]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Strupinski, Wlodek [Auteur]
Warsaw University of Technology [Warsaw]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Happy, Henri [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2020 IEEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC)

Ville :

San Jose

Pays :

Costa Rica

Date de début de la manifestation scientifique :

2020-02-25

Titre de l’ouvrage :

EEE Latin America Electron Devices Conference (LAEDC)

Éditeur :

IEEE

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

In the framework of the European project Flagship Graphene, we have developed several process technologies, for fabricating graphene field-effect transistors, for radio frequency (RF) applications. Depending on the technique ...
Lire la suite >In the framework of the European project Flagship Graphene, we have developed several process technologies, for fabricating graphene field-effect transistors, for radio frequency (RF) applications. Depending on the technique used to synthesize graphene, different transistors topologies were designed, given rise to different applications. Graphene materials under consideration include graphene growth on silicon carbide, graphene growth by chemical vapor deposition (CVD) on copper foil. After fabrication of transistors on rigid and on flexible substrates, high frequency characterization of devices is made. Based on the performance of transistors, RF circuits where designed and fabricated.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet Européen :

Graphene Flagship Core Project 2

Commentaire :

oral

Collections :

Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL