Title :

Mobility Collapse in Undoped and Si‐Doped GaN Grown by LP‐MOVPE

Author(s) :

Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Farvacque, J.-L [Auteur]
Moerman, Ingrid [Auteur]
Demeester, Piet [Auteur]
Harris, J.J. [Auteur]
Lee, K [Auteur]
van Tendeloo, Gustaaf [Auteur]
Lebedev, Oleg [Auteur]
Thrush, E. J. [Auteur]

Journal title :

physica status solidi (b)

Publisher :

Wiley

Publication date :

1999-11

ISSN :

0370-1972

HAL domain(s) :

Physique [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL