Mobility Collapse in Undoped and Si‐Doped ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Mobility Collapse in Undoped and Si‐Doped GaN Grown by LP‐MOVPE
Author(s) :
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Farvacque, J.-L [Auteur]
Moerman, Ingrid [Auteur]
Demeester, Piet [Auteur]
Harris, J.J. [Auteur]
Lee, K [Auteur]
van Tendeloo, Gustaaf [Auteur]
Lebedev, Oleg [Auteur]
Thrush, E. J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Farvacque, J.-L [Auteur]
Moerman, Ingrid [Auteur]
Demeester, Piet [Auteur]
Harris, J.J. [Auteur]
Lee, K [Auteur]
van Tendeloo, Gustaaf [Auteur]
Lebedev, Oleg [Auteur]
Thrush, E. J. [Auteur]
Journal title :
physica status solidi (b)
Publisher :
Wiley
Publication date :
1999-11
ISSN :
0370-1972
HAL domain(s) :
Physique [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :