Title :

Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »

Author(s) :

Lakhdar, Hadhemi [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Labat, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Defrance, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malbert, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

Conference title :

JNM 2017

City :

Saint Malo

Country :

France

Start date of the conference :

2017-05-16

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Language :

Français

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL