Reliability assessment of ultra-short gate ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
Author(s) :
Lakhdhar, Hadhemi [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Labat, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malbert, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Labat, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Defrance, Nicolas [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malbert, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Conference title :
ESREF 2016
City :
Händel-Halle
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2016-09-19
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :