Titre :

3D patterning of Si by contact etchning: contribution of the band bending modeling

Auteur(s) :

Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Torralba, Encarnacion [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

Semi-Conducteurs et Oxydes Poreux, 5ème journée (SCOPE 2019)

Ville :

Thiais

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2019-06-19

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Structuration de surface du silicium par un procédé de gravure par contact utilisant des électrodes métalliques

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL