Titre :

Demonstration of Magnetoplasmon Polariton at InSb/dielectric Interface

Auteur(s) :

Chochol, Jan [Auteur]
Technical University of Ostrava [Ostrava] [VSB]
Dalhousie University [Halifax]
IT4Innovations - National Supercomputing Center [Ostrava]
Micica, Martin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Postava, Kamil [Auteur]
IT4Innovations - National Supercomputing Center [Ostrava]
Vanwolleghem, Mathias [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Cada, Michael [Auteur]
Dalhousie University [Halifax]
Pistora, Jaromir [Auteur]
Technical University of Ostrava [Ostrava] [VSB]
IT4Innovations - National Supercomputing Center [Ostrava]

Titre de la manifestation scientifique :

2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2018)

Ville :

Nagoya

Pays :

Japon

Date de début de la manifestation scientifique :

2018-09-09

Éditeur :

IEEE

Date de publication :

2018-10-25

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Magnetic fields
Plasmons
Magnetic field measurement
Dielectrics
Biomedical measurement
Semiconductor device measurement
Magnetic resonance

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

Résumé en anglais : [en]

Abstract:A surface plasmon resonance (SPR) in terahertz range is demonstrated in InSb. Using an Otto configuration, the surface plasmon is excited on the interface between semiconductor and a thin polymer film by silicon ...
Lire la suite >Abstract:A surface plasmon resonance (SPR) in terahertz range is demonstrated in InSb. Using an Otto configuration, the surface plasmon is excited on the interface between semiconductor and a thin polymer film by silicon prism. Due to the low effective mass of InSb it is possible to tune SPR by an external magnetic field in transversal configuration. It is possible to achieve resonance shift up to 100 GHz with magnetic field 0.25 T. The experimental results show good agreement with the theoretical model.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Composants Nonréciproques compétitifs pour les fréquences Terahertz et moyen Infrarouge
Conception de détecteurs heterodyne optimisés pour les sources synchrotron

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL