Title :

Buffer free InGaAs quantum well and in-plane nanostructures on InP grown by atomic hydrogen assisted MBE

Author(s) :

Bucamp, A. [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Codron, J.-L. [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, david [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, X. [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, L. [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Pages :

11-15

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2019-04

ISSN :

0022-0248

English keyword(s) :

A3. Selective epitaxy
A1. Nanostructures
B2. Semiconducting indium compounds
A3. Molecular beam epitaxy
A3. Quantum wells

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

We investigate the optical and electrical properties of InGaAs thin films and nanostructures grown directly on an InP semi-insulating substrate without any buffer layer using atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy. ...
Show more >We investigate the optical and electrical properties of InGaAs thin films and nanostructures grown directly on an InP semi-insulating substrate without any buffer layer using atomic hydrogen assisted molecular beam epitaxy. We confirm the positive influence of the atomic hydrogen flux during the deoxidization process as well as during the growth itself improving the photoluminescence properties of InGaAs quantum wells. We also study the effect of the atomic hydrogen flux on the electrical properties of buffer free undoped, Te or Si doped InGaAs epilayers. Eventually, we demonstrate that atomic hydrogen flux can be used to achieve InGaAs growth selectivity with respect to a SiO2 mask for a growth temperature as low as 470 °C and obtain in-plane InGaAs nanostructures on InP with good transport properties.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Super-réseau d'antipoints de Dirac pour les électrons dans les semiconducteurs III-V

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL