2D-Graphene Epitaxy on SiC for RF Application: ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
2D-Graphene Epitaxy on SiC for RF Application: Fabrication, Electrical Characterization and Noise Performance
Author(s) :
Fadil, Dalal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wei, Wei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deng, Marina [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Stuprinski, Wlodek [Auteur]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wei, Wei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deng, Marina [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Fregonese, Sebastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Stuprinski, Wlodek [Auteur]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]

Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]

Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
2018 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium - IMS 2018
City :
Philadelphia
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2018-06-10
Publisher :
IEEE
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :