Title :

Monolithic integrated circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactors

Author(s) :

David, T. [Auteur]
Arscott, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Munier, J.-M. [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Beaudin, Gérard [Auteur]
Laboratoire d'Etude du Rayonnement et de la Matière en Astrophysique [LERMA]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

IEEE Microwave and Wireless Components Letters

Pages :

281-283

Publisher :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Publication date :

2002-08

ISSN :

1531-1309

English keyword(s) :

Monolithic integrated circuits
Varactors
Substrates
Indium phosphide
Diodes
Fabrication
Power generation
Bandwidth
Cutoff frequency
Millimeter wave technology

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial liftoff and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. ...
Show more >Fully integrated monolithic circuits incorporating InP-based heterostructure barrier varactor (HBV) frequency multipliers have been fabricated via epitaxial liftoff and transfer-substrate techniques onto a quartz substrate. We have obtained a maximum output power of 6 mW at 288 GHz: corresponding to an overall efficiency of 6%. In addition, we have observed a 45-GHz, 3-dB bandwidth centered around 300 GHz for a constant input power of 70 mW.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL