LT-GaAs-based photomixers with > 2 mW peak ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1364/CLEO_AT.2019.JTu2A.102
Title :
LT-GaAs-based photomixers with > 2 mW peak output power in the 220-325 GHz frequency band
Author(s) :
Bavedila, F. [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peytavit, Emilien [Auteur] refId
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019 - Applications and Technology
City :
San Jose
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2019-05-05
Journal title :
OSA Technical Digest of 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2019
Publisher :
OSA
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
It is shown in this communication that a LT-GaAs photomixer based on an optically resonant cavity is able to generate peak output powers above 2 mW in the 220-325 GHz frequency band.
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Développement d'un nouvel instrument pour l'application de la spectroscopie submillimétrique à l'étude de la réactivité pour l'astrochimie
Collections :
Source :
Harvested from HAL