Titre :

Characterization and modeling of transient self-heating in GaN HEMTs

Auteur(s) :

Cutivet, Adrien [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Bouchilaoun, Meriem [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Chakroun, Ahmed [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jaouad, Abdelatif [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Boone, François [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Maher, Hassan [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]

Titre de la manifestation scientifique :

12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12)

Ville :

Strasbourg

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-07-24

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL