A G band frequency quadrupler in 55 nm ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
A G band frequency quadrupler in 55 nm BiCMOS for bist applications
Author(s) :
Aouimeur, Walid [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Arnould, Jean-Daniel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Moron Guerra, José [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Grenoble] [ST-GRENOBLE]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Serhan, Ayssar [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Arnould, Jean-Daniel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Moron Guerra, José [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, Sylvie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Grenoble] [ST-GRENOBLE]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Serhan, Ayssar [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Conference title :
2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC)
City :
Graz
Country :
Autriche
Start date of the conference :
2017-04-20
Publisher :
IEEE
English keyword(s) :
Power generation
Power amplifiers
BiCMOS integrated circuits
Bandwidth
Harmonic analysis
Silicon germanium
Power amplifiers
BiCMOS integrated circuits
Bandwidth
Harmonic analysis
Silicon germanium
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
English abstract : [en]
In this paper, a frequency quadrupler based on a single ended frequency doubler, a new Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines and a balanced frequency doubler in G band is presented and analyzed ...
Show more >In this paper, a frequency quadrupler based on a single ended frequency doubler, a new Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines and a balanced frequency doubler in G band is presented and analyzed for in-situ characterization applications. The experimental results of the frequency quadrupler exhibit at 180 GHz a peak output power of -4.5 dBm associate with a linear conversion gain of -5.5 dB, a frequency bandwidth of 160 to 190 GHz and a DC power consumption of 39 mW. This quadrupler has been fabricated in the 55 nm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics, the chip area is 1850×780 μm 2 including the pads.Show less >
Show more >In this paper, a frequency quadrupler based on a single ended frequency doubler, a new Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines and a balanced frequency doubler in G band is presented and analyzed for in-situ characterization applications. The experimental results of the frequency quadrupler exhibit at 180 GHz a peak output power of -4.5 dBm associate with a linear conversion gain of -5.5 dB, a frequency bandwidth of 160 to 190 GHz and a DC power consumption of 39 mW. This quadrupler has been fabricated in the 55 nm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics, the chip area is 1850×780 μm 2 including the pads.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :