Crystal facet engineering in Ga-doped ZnO ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Crystal facet engineering in Ga-doped ZnO nanowires for Mid-IR plasmonics
Author(s) :
Sallet, Vincent [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Sartel, Corinne [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Hassani, Said [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Amiri, G. [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Lusson, Alain [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
P, Galtier [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Lefebvre, Isabelle [Auteur] refId
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur] refId
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Masenelli, Bruno [Auteur]
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux [INL - S&N]
Conference title :
TCM2018
City :
Crete
Country :
Grèce
Start date of the conference :
2018-10-14
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL