Broadband optoelectronic characterization ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Broadband optoelectronic characterization of THz power detectors
Auteur(s) :
Oden, Jonathan [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roux, Jean-François [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Yamashita, Masatsugu [Auteur]
Sasaki, Yoshiaki [Auteur]
Otani, Chiko [Auteur]
Artillan, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université Savoie Mont Blanc [USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Roux, Jean-François [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Yamashita, Masatsugu [Auteur]
Sasaki, Yoshiaki [Auteur]
Otani, Chiko [Auteur]
Artillan, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Université Savoie Mont Blanc [USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry]]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Bollaert, Sylvain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
8th THz days
Ville :
Arêches
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2015-03-24
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
This paper describes the characterization of THz power detectors using an optoelectronic broadband source. Information about the frequency is obtained thanks to an interferometric arrangement. Different type of detectors ...
Lire la suite >This paper describes the characterization of THz power detectors using an optoelectronic broadband source. Information about the frequency is obtained thanks to an interferometric arrangement. Different type of detectors have been investigated including thermal sensors and high speed detectors such as Schottky Diode and a nanoelectronic III-V transistor with enhanced frequency response around 300 GHz.Lire moins >
Lire la suite >This paper describes the characterization of THz power detectors using an optoelectronic broadband source. Information about the frequency is obtained thanks to an interferometric arrangement. Different type of detectors have been investigated including thermal sensors and high speed detectors such as Schottky Diode and a nanoelectronic III-V transistor with enhanced frequency response around 300 GHz.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :