Interfacial traps in Ga 0.47 In 0.53 As/InP ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Interfacial traps in Ga 0.47 In 0.53 As/InP heterostructures
Author(s) :
Dansas, Pierre [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Pascal, Daniel [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Bru-Chevallier, C. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux [INL - S&N]
Laval, S. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Giraudet, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Allovon, M. [Auteur]
Journal title :
Journal of Applied Physics
Pages :
1384-1388
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
1990-02
ISSN :
0021-8979
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL