Interfacial traps in Ga 0.47 In 0.53 As/InP ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Interfacial traps in Ga 0.47 In 0.53 As/InP heterostructures
Auteur(s) :
Dansas, Pierre [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Pascal, Daniel [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Bru-Chevallier, C. [Auteur]
INL - Spectroscopies et Nanomatériaux [INL - S&N]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Laval, S. [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Giraudet, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Allovon, M. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
1384-1388
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
1990-02
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL