Titre :

Monte Carlo analysis of the dynamic behavior of III–V MOSFETs for low-noise RF applications

Auteur(s) :

Shi, Ming [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Saint-Martin, Jérôme [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Bournel, Arnaud [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Querlioz, Damien [Auteur]
Institut d'électronique fondamentale [IEF]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dollfus, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Solid-State Electronics

Pagination :

51 - 57

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2013-09

ISSN :

0038-1101

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Résumé en anglais : [en]

III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) with a high-j dielectric gate stack are investigated as a possible route to enhance the performance of either microwave or logic circuits with low supply ...
Lire la suite >III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFETs) with a high-j dielectric gate stack are investigated as a possible route to enhance the performance of either microwave or logic circuits with low supply voltage (V DD). The intrinsic performance of III-V MOSFETs in both static and dynamic regimes under low V DD is estimated using device Monte Carlo simulation. The characteristics of a Bulk-like and XOI-like III-V MOSFETs are quantitatively assessed and compared in terms of DC transconductance, high frequency performance and noise behavior. Finally, the comparison with Si-based devices shows the potential of III-V nano-MOSFET architectures for high-frequency and low noise application under low operating power.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL