Title :

Shallow Heavily Doped n\mathplus\mathplus Germanium by Organo-Antimony Monolayer Doping

Author(s) :

Alphazan, Thibault [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Álvarez, Adrian Díaz [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Martin, François [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Grampeix, Helen [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Enyedi, Virginie [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martinez, Eugénie [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Rochat, Névine [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Veillerot, Marc [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Dewitte, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thieuleux, Chloé [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Grandidier, B. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

ACS Applied Materials & Interfaces

Pages :

20179--20187

Publisher :

Washington, D.C. : American Chemical Society

Publication date :

2017-06

ISSN :

1944-8244

HAL domain(s) :

Chimie

English abstract : [en]

Functionalization of Ge surfaces with the aim of incorporating specific dopant atoms to form high-quality junctions is of particular importance for the development of solid-state devices. In this study, we report the shallow ...
Show more >Functionalization of Ge surfaces with the aim of incorporating specific dopant atoms to form high-quality junctions is of particular importance for the development of solid-state devices. In this study, we report the shallow doping of Ge wafers with a monolayer doping strategy that is based on the controlled grafting of Sb precursors and the subsequent diffusion of Sb into the wafer upon annealing. We also highlight the key role of citric acid in passivating the surface before its reaction with the Sb precursors and the benefit of a protective SiO2 overlayer that enables an efficient incorporation of Sb dopants with a concentration higher than 1020 cm–3. Microscopic four-point probe measurements and photoconductivity experiments show the full electrical activation of the Sb dopants, giving rise to the formation of an n++ Sb-doped layer and an enhanced local field-effect passivation at the surface of the Ge wafer.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL