Title :

Type I band alignment in GaAs 81 Sb 19 /GaAs core-shell nanowires

Author(s) :

Xu, Tao [Auteur]
Wei, Mengjie [Auteur]
Capiod, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Díaz Álvarez, Adrian [Auteur]
Han, Xiang-Lei [Auteur]
Troadec, david [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
LEFEBVRE, Isabelle [Auteur]
Institut des Biomolécules Max Mousseron [Pôle Chimie Balard] [IBMM]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Plissard, S.R. [Auteur]
Équipe Matériaux et Procédés pour la Nanoélectronique [LAAS-MPN]
Caroff, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, Philipp [Auteur]
Grandidier, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

112102

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2015-09

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Physique Quantique [quant-ph]
Chimie/Cristallographie
Chimie/Matériaux

English abstract : [en]

The composition and band gap of the shell that formed during the growth of axial GaAs/GaAs81Sb19/ GaAs heterostructure nanowires have been investigated by transmission electron microscopy combined with energy dispersion ...
Show more >The composition and band gap of the shell that formed during the growth of axial GaAs/GaAs81Sb19/ GaAs heterostructure nanowires have been investigated by transmission electron microscopy combined with energy dispersion spectroscopy, scanning tunneling spectroscopy, and density functional theory calculations. On the GaAs81Sb19 intermediate segment, the shell is found to be free of Sb (pure GaAs shell) and transparent to the tunneling electrons, despite the (110) biaxial strain that affects its band gap. As a result, a direct measurement of the core band gap allows the quantitative determination of the band offset between the GaAs81Sb19 core and the GaAs shell and identifies it as a type I band alignment.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL