Utilisation du GaAs épitaxié à basse ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs
Auteur(s) :
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Druelle, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Lipka, M. [Auteur]
Kohn, Erhard [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO)
Ville :
Chantilly
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
1997
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL