Utilisation du GaAs épitaxié à basse ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Utilisation du GaAs épitaxié à basse température pour augmenter la densité de puissance des TECs
Author(s) :
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Druelle, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Lipka, M. [Auteur]
Kohn, Erhard [Auteur]
Conference title :
6es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO)
City :
Chantilly
Country :
France
Start date of the conference :
1997
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL