Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs
Auteur(s) :
Kohn, Erhard [Auteur]
Strobel, E [Auteur]
Daumiller, I. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen, N.X. [Auteur]
Nguyen, C.N. [Auteur]
Strobel, E [Auteur]
Daumiller, I. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nguyen, N.X. [Auteur]
Nguyen, C.N. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop
Ville :
Cornell
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
1999
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :