Uniformity improvement of linear power pHEMTs using a very high selective wet etching

Hue, X.; Boudart, B.; Bonte, B.; Crosnier, Y.

Type de document :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

10.1002/(SICI)1098-2760(19991105)23:3<192::AID-MOP18>3.0.CO;2-5

Titre :

Uniformity improvement of linear power pHEMTs using a very high selective wet etching

Auteur(s) :

Hue, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bonte, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS

Pagination :

192 - 194

Éditeur :

Wiley

Date de publication :

1999-11-05

ISSN :

0895-2477

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Résumé en anglais : [en]

The realization and characterization of Al0.22Ga0.78As/In0.22Ga0.78As/GaAs multifinger linear power pHEMTs, using a citric acid selective wet etching for the gate recessing, are reported. A very high uniformity for both ...
Lire la suite >The realization and characterization of Al0.22Ga0.78As/In0.22Ga0.78As/GaAs multifinger linear power pHEMTs, using a citric acid selective wet etching for the gate recessing, are reported. A very high uniformity for both the drain current and pinch-off voltage values have been obtained. The linearity is confirmed by a quasiflat profile of the transconductance and of the maximum available gain (MAG) over a wide gate source voltage. Power and intermodulation distortion measurements at 16 GHz have been performed. An IP3 value of 25 dBm has been obtained for a 2×75 μm device.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :