Titre :

Impact of gate-drain spacing engineering on DC and noise performance of SiN in-situ passivated InAlGaN/GaN HEMTs

Auteur(s) :

Rzin, Mehdi [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Routoure, Jean-Marc [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guillet, Bruno [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Méchin, Laurence [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lacam, Cédric [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Gamarra, Piero [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Ben-Ammar, Hichem [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Chauvat, Marie-Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Morales, Magali [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Ruterana, Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]

Titre de la manifestation scientifique :

EMRS Fall Meeting

Ville :

Varsovie

Pays :

Pologne

Date de début de la manifestation scientifique :

2016-09-19

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL