Advances in silicon surface texturization ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Advances in silicon surface texturization by metal assisted chemical etching for photovoltaic applications
Auteur(s) :
Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Torralba, Encarnacion [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Assimi, Taha [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Fouchier, Marin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Torralba, Encarnacion [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Assimi, Taha [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Fouchier, Marin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Titre de la manifestation scientifique :
2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
Organisateur(s) de la manifestation scientifique :
IEEE
Ville :
Washington
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-06-25
Date de publication :
2017-07-19
Mot(s)-clé(s) en anglais :
localized etching
3D pattern transfer
patterned nanoporous gold electrodes
Si
Au
Pt
scanning capacitance spectroscopy
CIGS
CZTS
electrical junction
silicon surface texturization
Pt nanoparticles
metal assisted chemical etching
photovoltaic applications
solar cells texturization
n-type Si substrates
catalysts
p-type Si substrates
2D band bending modeling
ohmic contacts
cone-shaped macropores
reflectivity
nonohmic contacts
delocalized etching
MACE
3D pattern transfer
patterned nanoporous gold electrodes
Si
Au
Pt
scanning capacitance spectroscopy
CIGS
CZTS
electrical junction
silicon surface texturization
Pt nanoparticles
metal assisted chemical etching
photovoltaic applications
solar cells texturization
n-type Si substrates
catalysts
p-type Si substrates
2D band bending modeling
ohmic contacts
cone-shaped macropores
reflectivity
nonohmic contacts
delocalized etching
MACE
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Résumé en anglais : [en]
— New Si processes based on Metal Assisted Chemical Etching (MACE) are explored for solar cells texturization. Pt and Au are considered as catalysts for MACE of p and n-type Si substrates. 2D band bending modeling at the ...
Lire la suite >— New Si processes based on Metal Assisted Chemical Etching (MACE) are explored for solar cells texturization. Pt and Au are considered as catalysts for MACE of p and n-type Si substrates. 2D band bending modeling at the nanoscale shows that Pt nanoparticles (NPs) make ohmic contacts and induce delocalized etching. Accordingly, cone-shaped macropores, very efficient in reducing the reflectivity (<5%) are obtained experimentally. On the contrary, Au with n-type Si leads to non-ohmic contacts and localized etching. On this basis, a novel strategy for 3D pattern transfer into Si with patterned nanoporous gold electrodes in a single step is developed.Lire moins >
Lire la suite >— New Si processes based on Metal Assisted Chemical Etching (MACE) are explored for solar cells texturization. Pt and Au are considered as catalysts for MACE of p and n-type Si substrates. 2D band bending modeling at the nanoscale shows that Pt nanoparticles (NPs) make ohmic contacts and induce delocalized etching. Accordingly, cone-shaped macropores, very efficient in reducing the reflectivity (<5%) are obtained experimentally. On the contrary, Au with n-type Si leads to non-ohmic contacts and localized etching. On this basis, a novel strategy for 3D pattern transfer into Si with patterned nanoporous gold electrodes in a single step is developed.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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