Title :

Advances in silicon surface texturization by metal assisted chemical etching for photovoltaic applications

Author(s) :

Le Gall, Sylvain [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Lachaume, Raphaël [Auteur]
Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris [GeePs]
Torralba, Encarnacion [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Assimi, Taha [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Fouchier, Marin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cachet-Vivier, Christine [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]
Bastide, Stéphane [Auteur]
Institut de Chimie et des Matériaux Paris-Est [ICMPE]

Conference title :

2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)

Conference organizers(s) :

IEEE

City :

Washington

Country :

Etats-Unis d'Amérique

Start date of the conference :

2017-06-25

Publication date :

2017-07-19

English keyword(s) :

localized etching
3D pattern transfer
patterned nanoporous gold electrodes
Si
Au
Pt
scanning capacitance spectroscopy
CIGS
CZTS
electrical junction
silicon surface texturization
Pt nanoparticles
metal assisted chemical etching
photovoltaic applications
solar cells texturization
n-type Si substrates
catalysts
p-type Si substrates
2D band bending modeling
ohmic contacts
cone-shaped macropores
reflectivity
nonohmic contacts
delocalized etching
MACE

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

English abstract : [en]

— New Si processes based on Metal Assisted Chemical Etching (MACE) are explored for solar cells texturization. Pt and Au are considered as catalysts for MACE of p and n-type Si substrates. 2D band bending modeling at the ...
Show more >— New Si processes based on Metal Assisted Chemical Etching (MACE) are explored for solar cells texturization. Pt and Au are considered as catalysts for MACE of p and n-type Si substrates. 2D band bending modeling at the nanoscale shows that Pt nanoparticles (NPs) make ohmic contacts and induce delocalized etching. Accordingly, cone-shaped macropores, very efficient in reducing the reflectivity (<5%) are obtained experimentally. On the contrary, Au with n-type Si leads to non-ohmic contacts and localized etching. On this basis, a novel strategy for 3D pattern transfer into Si with patterned nanoporous gold electrodes in a single step is developed.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Structuration de surface du silicium par un procédé de gravure par contact utilisant des électrodes métalliques

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL