Nanoselective area growth of high quality ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/46081
Title :
Nanoselective area growth of high quality thick InGaN/GaN on sacrificial ZnO templates
Author(s) :
Puybaret, Renaud [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Suresh, Sundaram [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Li, Xin [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
El Gmili, Youssef [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Pantzas, Konstantinos [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Troadec, david [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Patriache, Gilles [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Rogers David, J. [Auteur]
Teherani, Ferechteh Hosseini [Auteur]
Sandana Vinod, E. [Auteur]
Bove, Philippe [Auteur]
L. Voss, P. [Auteur]
Salvestrini, J.P. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Ougazzaden, Abdallah [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Conference title :
E-MRS Spring Meeting
City :
Lille
Country :
France
Start date of the conference :
2015
Publication date :
2015
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T13:03:45Z