Titre :

Optical properties of gallium nitride heterostructures grown on silicon for waveguiding application

Auteur(s) :

Saraswati, Irma [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stolz, Arnaud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ko, S. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poespawati, Nji Raden [Auteur]
Wigajatri, Retno [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Advanced Materials Research

Pagination :

41-45

Éditeur :

Trans Tech Publications

Date de publication :

2014

ISSN :

1022-6680

Résumé en anglais : [en]

Gallium nitride (GaN) on silicon (Si) is governed by the possibility to use this family of semiconductor for novel optoelectronic devices. GaN layers are deposited by MOCVD on silicon Si (111) using AlGaN buffer layer. We ...
Lire la suite >Gallium nitride (GaN) on silicon (Si) is governed by the possibility to use this family of semiconductor for novel optoelectronic devices. GaN layers are deposited by MOCVD on silicon Si (111) using AlGaN buffer layer. We have studied the microstructure quality of the films. From SEM, TEM and AFM observations, we have observed that the films exhibit a good quality: the films are highly oriented (0001) with a smooth surface morphology (roughness of 12nm). We have completely characterized the optical properties using the prism coupling technique.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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