Impact of BEOL stress on BiCMOS9MW HBTs

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/BCTM.2013.6798181
Titre :
Impact of BEOL stress on BiCMOS9MW HBTs
Auteur(s) :
Canderle, Elodie [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chevalier, P. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Avenier, G. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Derrier, N. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Céli, D. [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
27th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2013
Ville :
Bordeaux
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2013
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 27th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2013
Date de publication :
2013
Mot(s)-clé(s) en anglais :
BiCMOS
SiGe HBT
back-end of line (BEOL)
stress
bandgap
Résumé en anglais : [en]
Stress investigations have been carried out on SiGe HBTs from STMicroelectronics BiCMOS9MW technology. The strain created by the stack of metal connections impacts the base bandgap of the transistors: from the reference ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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