100nm AlSb/InAs HEMT for ultra-low-power ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
100nm AlSb/InAs HEMT for ultra-low-power consumption, low-noise applications
Author(s) :
Gardès, Cyrille [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bagumako, Sonia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bagumako, Sonia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
SCIENTIFIC WORLD JOURNAL
Pages :
136340, 6 pages
Publication date :
2014
HAL domain(s) :
Physique [physics]
English abstract : [en]
We report on high frequency (HF) and noise performances of AlSb/InAs high electron mobility transistor (HEMT) with 100 nm gate length at room temperature in low-power regime. Extrinsic cut-off frequencies of 100/125 GHz ...
Show more >We report on high frequency (HF) and noise performances of AlSb/InAs high electron mobility transistor (HEMT) with 100 nm gate length at room temperature in low-power regime. Extrinsic cut-off frequencies of 100/125 GHz together with minimum noise figure dB and associated gain dB at 12 GHz have been obtained at drain bias of only 80 mV, corresponding to 4 mW/mm DC power dissipation. This demonstrates the great ability of AlSb/InAs HEMT for high-frequency operation combined with low-noise performances in ultra-low-power regime.Show less >
Show more >We report on high frequency (HF) and noise performances of AlSb/InAs high electron mobility transistor (HEMT) with 100 nm gate length at room temperature in low-power regime. Extrinsic cut-off frequencies of 100/125 GHz together with minimum noise figure dB and associated gain dB at 12 GHz have been obtained at drain bias of only 80 mV, corresponding to 4 mW/mm DC power dissipation. This demonstrates the great ability of AlSb/InAs HEMT for high-frequency operation combined with low-noise performances in ultra-low-power regime.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
- http://downloads.hindawi.com/journals/tswj/2014/136340.pdf
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- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00969148/document
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- https://www.ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3953642/pdf
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- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00969148/document
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