Deterministic placement of doping atoms ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Title :
Deterministic placement of doping atoms on hydroxylated surfaces
Author(s) :
Mathey, L. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Veyre, L. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Fontaine, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Enyedi, V. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Yckache, K. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Guerrero, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Chevalier, N. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martin, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Barnes, J.P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Bertin, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Durand, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thieuleux, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Coperet, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Veyre, L. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Fontaine, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Enyedi, V. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Yckache, K. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Guerrero, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Chevalier, N. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martin, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Barnes, J.P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Bertin, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Durand, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thieuleux, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Coperet, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Conference title :
International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 2013
City :
Fukuoka
Country :
Japon
Start date of the conference :
2013
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
An improved approach of semi-conductor doping by Molecular Layer Deposition (MLD) is investigated. Here, dopant-containing molecules are directly grafted onto silica-coated silicon wafers and optimized ligands can provide ...
Show more >An improved approach of semi-conductor doping by Molecular Layer Deposition (MLD) is investigated. Here, dopant-containing molecules are directly grafted onto silica-coated silicon wafers and optimized ligands can provide more effective dopant drive-in annealing. The grafting approach is validated on non-porous silica and successfully transferred onto silicon wafers.Show less >
Show more >An improved approach of semi-conductor doping by Molecular Layer Deposition (MLD) is investigated. Here, dopant-containing molecules are directly grafted onto silica-coated silicon wafers and optimized ligands can provide more effective dopant drive-in annealing. The grafting approach is validated on non-porous silica and successfully transferred onto silicon wafers.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :
Files
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00956279/document
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