Title :

Deterministic placement of doping atoms on hydroxylated surfaces

Author(s) :

Mathey, L. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Veyre, L. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Fontaine, H. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Enyedi, V. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Yckache, K. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Guerrero, J. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Chevalier, N. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martin, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Barnes, J.P. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Bertin, F. [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Durand, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thieuleux, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]
Coperet, C. [Auteur]
Laboratoire de Chimie, Catalyse, Polymères et Procédés, R 5265 [C2P2]

Conference title :

International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 2013

City :

Fukuoka

Country :

Japon

Start date of the conference :

2013

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

An improved approach of semi-conductor doping by Molecular Layer Deposition (MLD) is investigated. Here, dopant-containing molecules are directly grafted onto silica-coated silicon wafers and optimized ligands can provide ...
Show more >An improved approach of semi-conductor doping by Molecular Layer Deposition (MLD) is investigated. Here, dopant-containing molecules are directly grafted onto silica-coated silicon wafers and optimized ligands can provide more effective dopant drive-in annealing. The grafting approach is validated on non-porous silica and successfully transferred onto silicon wafers.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL