Optimized V-shape design of GaN nanodiodes ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
10.1063/1.4866166
Titre :
Optimized V-shape design of GaN nanodiodes for the generation of Gunn oscillations
Auteur(s) :
Millithaler, J.F. [Auteur]
Iniguez-De-La-Torre, I. [Auteur]
Iniguez-De-La-Torre, A. [Auteur]
Gonz Alez, T. [Auteur]
Sangaré, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mateos, J. [Auteur]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
073509, 4 pages
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2014
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this work, recent advances in the design of GaN planar Gunn diodes with asymmetric shape, socalled self-switching diodes, are presented. A particular geometry for the nanodiode is proposed, referred as V-shape, where ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Fichiers
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