Interface dipole : effects on threshold ...
Document type :
Article dans une revue scientifique: Article original
Title :
Interface dipole : effects on threshold voltage and mobility for both amorphous and poly-crystalline organic field effect transistors
Author(s) :
Celle, C. [Auteur]
Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux) [DTNM ]
Suspène, C. [Auteur]
Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux) [DTNM ]
Ternisien, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lenfant, Stephane [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guérin, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Smaali, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lmimouni, Kamal [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Simonato, J.P. [Auteur]
Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux) [DTNM ]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux) [DTNM ]
Suspène, C. [Auteur]
Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux) [DTNM ]
Ternisien, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lenfant, Stephane [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guérin, David [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Smaali, K. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lmimouni, Kamal [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Simonato, J.P. [Auteur]
Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux) [DTNM ]
Vuillaume, Dominique [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Organic Electronics
Pages :
729-737
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2014
ISSN :
1566-1199
English keyword(s) :
organic transistor
organic monolayer
dipole
organic monolayer
dipole
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We report a detailed comparison on the role of a self-assembled monolayer (SAM) of dipolar molecules on the threshold voltage and charge carrier mobility of organic field-effect transistor (OFET) made of both amorphous and ...
Show more >We report a detailed comparison on the role of a self-assembled monolayer (SAM) of dipolar molecules on the threshold voltage and charge carrier mobility of organic field-effect transistor (OFET) made of both amorphous and polycrystalline organic semiconductors. We show that the same relationship between the threshold voltage and the dipole-induced charges in the SAM holds when both types of devices are fabricated on strictly identical base substrates. Charge carrier mobilities, almost constant for amorphous OFET, are not affected by the dipole in the SAMs, while for polycrystalline OFET (pentacene) the large variation of charge carrier mobilities is related to change in the organic film structure (mostly grain size).Show less >
Show more >We report a detailed comparison on the role of a self-assembled monolayer (SAM) of dipolar molecules on the threshold voltage and charge carrier mobility of organic field-effect transistor (OFET) made of both amorphous and polycrystalline organic semiconductors. We show that the same relationship between the threshold voltage and the dipole-induced charges in the SAM holds when both types of devices are fabricated on strictly identical base substrates. Charge carrier mobilities, almost constant for amorphous OFET, are not affected by the dipole in the SAMs, while for polycrystalline OFET (pentacene) the large variation of charge carrier mobilities is related to change in the organic film structure (mostly grain size).Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :
Files
- http://arxiv.org/pdf/1402.0676
- Open access
- Access the document
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00939052/document
- Open access
- Access the document
- document
- Open access
- Access the document
- 1402.0676.pdf
- Open access
- Access the document
- 1402.0676
- Open access
- Access the document
- document
- Open access
- Access the document
- 1402.0676.pdf
- Open access
- Access the document