[Invited] Assessment of transistors based ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
[Invited] Assessment of transistors based on GaN on silicon substrate in view of integration with silicon technology
Author(s) :
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Joblot, S. [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Chmielowska, M. [Auteur]
Ramdani, M.R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Joblot, S. [Auteur]
Okada, Etienne [Auteur]
Chmielowska, M. [Auteur]
Ramdani, M.R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Journal title :
Semiconductor Science and Technology
Pages :
094003-1-6
Publisher :
IOP Publishing
Publication date :
2013
ISSN :
0268-1242
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :