Sheet resistance of multi-layer stacking ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Sheet resistance of multi-layer stacking of silicene
Auteur(s) :
Capiod, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Resta, Andrea [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
de Padova, Paola [Auteur]
Instituto di Struttura della Materia [ISM]
Vogt, Patrick [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TUB]
Le Lay, Guy [Auteur]
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille [CINaM]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Resta, Andrea [Auteur]
Synchrotron SOLEIL [SSOLEIL]
de Padova, Paola [Auteur]
Instituto di Struttura della Materia [ISM]
Vogt, Patrick [Auteur]
Technical University of Berlin / Technische Universität Berlin [TUB]
Le Lay, Guy [Auteur]
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille [CINaM]
Grandidier, Bruno [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium I - The route to post-Si CMOS devices : from high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets
Ville :
Strasbourg
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2013
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :