Modeling of silicon nanowire growth : ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement
Author(s) :
Klimovskaya, A. [Auteur]
Efremov, A. [Auteur]
Hourlier, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Efremov, A. [Auteur]
Hourlier, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
IVth Ukrainian Scientific Conference on Physics of Semiconductors, USCPS-4
City :
Zaporizhzhya
Country :
Ukraine
Start date of the conference :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :